三星半导体近日宣布，星试下半已经开始试产第二代3纳米工艺SF3。产第这一里程碑式的代纳事件，突显了三星与台积电在先进工艺节点上的米工激烈竞争。

SF3工艺的年年独特之处在于其实现了在同一单元内调整不同环栅（GAA）晶体管纳米片沟道宽度。这一创新为芯片设计提供了更大的规模自由度，从而降低功耗、量产提升性能，星试下半并优化晶体管密度。产第

三星计划在未来六个月内将SF3工艺的代纳良率提升至60%以上。目前，米工该公司正在对使用此工艺制造的年年芯片进行性能和可靠性测试。首款采用SF3工艺的规模芯片将是一款专为可穿戴设备设计的应用处理器，预计将在今年晚些时候发布的量产Galaxy Watch 7等产品中亮相。

三星表示，星试下半他们计划从2024年下半年开始大规模量产SF3芯片。在2023年至2024年期间，三星将以3纳米工艺为主，包括SF3（3GAP）和改进版本SF3P（3GAP+）。此外，该公司还计划在2025年至2026年推出2纳米工艺节点。

三星在晶圆代工领域的突破为全球芯片产业带来了新的技术革新和竞争格局。这一进展无疑将进一步推动半导体技术的进步，并有望为未来的电子产品带来更强大的性能和更低的功耗。

审核编辑：黄飞